特别研究助理岗位(博士后)(高频高压中心)
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北京 博士
发布于2023-09-19

职位简介

学科专业: SiC器件薄膜沉积工艺开发与设备日常维护,宽禁带化合物半导体器件和电路 事业平台及薪酬福利: (一)特别研究助理岗位(博士后) ·事业平台:提供事业发展平台,参与国家重大科研项目,给予充足科研经费保障,提供一流的工艺、器件、检测、设计、封测等研发平台;积极推荐并协助申请“博新计划”、中科院特别研究助理资助项目等。 ·职业生涯:畅通的岗位晋升通道,在站期间可竞聘副高级岗位,出站可申请事业编制岗位,留所比例超80%;特别优秀者可申报中科院相关人才项目,入选后可聘为正高级岗位、科研经费支持可达800万。 ·薪酬待遇:参照副高级岗位薪酬待遇,税前年薪30~40万元起(“六险两金”单位缴纳部分由研究所承担,不计入上述数值),特别优秀者上不封顶,按一人一策原则确定;年终绩效另行发放。 ·福利保障:提供人才公寓(可拎包入住),特别优秀者可免费入住;进站后解决北京户口,出站后符合留京政策的,为本人及配偶、子女办理落户手续,协助解决子女入园入学;享“六险两金”、带薪年假、工会福利、年度体检等。 (二)工程师/助理工程师岗位 薪酬待遇:按国家、中科院和研究所相关制度执行。 福利保障:为符合条件的应届硕士毕业生择优解决北京户口;享“六险两金”、带薪年假、工会福利、年度体检等。
常老师
中国科学院微电子研究所 · 高频高压中心
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